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對標聯發科!高通驍龍6系芯片下半年晉級為10nm工藝

時間:2018-02-26 點擊:18434 次   來源:快科技網   作者:admin
[導讀] 2月26日,聯發科在MWC2018上發布了Helio P60,它基于臺積電12nmFinFET工藝打造,采用4顆Cortex A73大核+4顆Cortex A53小核組成,CPU最高頻率為2.0GHz,GPU為Mali-G72 MP3,頻率為800MHz。它最高支持8GB LPDDR4X內存,閃存最高支持UFS 2.1。從規格不好看出,聯發科Helio P60定位中端,其對標的是高通驍龍6系芯片

2月26日,聯發科在MWC2018上發布了Helio P60,它基于臺積電12nmFinFET工藝打造,采用4顆Cortex A73大核+4顆Cortex A53小核組成,CPU最高頻率為2.0GHz,GPU為Mali-G72 MP3,頻率為800MHz。

它最高支持8GB LPDDR4X內存,閃存最高支持UFS 2.1。

從規格不好看出,聯發科Helio P60定位中端,其對標的是高通驍龍6系芯片。不過關于高通來說,聯發科似乎并沒有對其構成要挾。

據業內人士@草Grass草泄漏,2018年下半年高通驍龍6系以上芯片全線晉級為10nm工藝制程,并開端向4系浸透,對聯發科構成片面包圍之勢。

這次晉級,不只使高通驍龍6系芯片功能有所提升,功耗、發熱控制也會愈加優秀,屆時對聯發科將Helio P60帶來不小的壓力。

依據此前曝光的音訊,高通下一代中端芯片驍龍670將采用10nm工藝制程,其CPU內核將會以big.LITTLE架構的方式出現。

它有2顆高端定制Cortes A-75內核,用Kryo 300 Gol架構搭建;還有6顆低端定制Cortex A-55內核,用Kryo 300 Silver架構搭建。低端內核最高時鐘速度約為1.7GHz,高端內核可達2.6GHz。

對標聯發科!高通驍龍6系芯片下半年升級為10nm工藝